PIP法制備SiC納米線增強(qiáng)SiCf/SiC復(fù)合材料及其力學(xué)性能

編號(hào)：NMJS06344

篇名：PIP法制備SiC納米線增強(qiáng)SiCf/SiC復(fù)合材料及其力學(xué)性能

作者：秦浩[1,2] ;董紹明[1] ;胡建寶[1] ;闞艷梅[1] ;何平[1] ;王洪達(dá)[1,2]

關(guān)鍵詞： 復(fù)合材料 碳化硅納米線 界面 力學(xué)性能

機(jī)構(gòu)： [1]中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,高性能陶瓷和超微結(jié)構(gòu)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海200050; [2]中國(guó)科學(xué)院大學(xué),北京100049

摘要： 利用化學(xué)氣相沉積法原位生長(zhǎng)SiC納米線，制備出SiC納米線增強(qiáng)SiCk／SiC復(fù)合材料。研究了SiC納米線及SiC納米線／基體熱解碳界面調(diào)控對(duì)復(fù)合材料的力學(xué)性能、裂紋擴(kuò)展行為、纖維與基體之間的結(jié)合強(qiáng)度的作用。研究表明：SiC納米線的引入能顯著提高復(fù)合材料的致密化效果。通過(guò)調(diào)控SiC納米線／基體的界面厚度，可顯著提高復(fù)合材料的力學(xué)性能。SiC納米線的引入提高了纖維／基體的界面結(jié)合強(qiáng)度，而SiC納米線表面熱解碳的引入可改善纖維／基體的界面結(jié)合強(qiáng)度。此外，碳化硅納米線及其界面調(diào)控，能有效優(yōu)化基體的微區(qū)力學(xué)行為及斷裂模式。