TiO_2一維納米陣列電極表面氧氣泡發(fā)展規(guī)律研究

編號(hào)：CPJS05305

篇名：TiO_2一維納米陣列電極表面氧氣泡發(fā)展規(guī)律研究

作者：曹振山 ;胡曉瑋 ;郭烈錦 ;王曄春

關(guān)鍵詞：納米陣列 光電極 氧氣泡 生長(zhǎng)時(shí)間 脫離直徑

機(jī)構(gòu)： 西安交通大學(xué)動(dòng)力工程多相流國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安710049

摘要： 光電化學(xué)分解水反應(yīng)驅(qū)動(dòng)的氧氣泡生長(zhǎng),是發(fā)生在固液表面典型的物理化學(xué)過(guò)程。本文通過(guò)搭建的光電化學(xué)分解水反應(yīng)體系,利用顯微拍攝系統(tǒng),探究了氧氣泡在光電極表面的發(fā)展規(guī)律,結(jié)果表明氣泡大小與生長(zhǎng)時(shí)間遵循關(guān)系;并通過(guò)改變反應(yīng)溶液的濃度和激發(fā)光源的光照強(qiáng)度,總結(jié)了溶液濃度和光照強(qiáng)度對(duì)氣泡的生長(zhǎng)時(shí)間與脫離直徑的影響規(guī)律。