鑲嵌納米晶硅的氧化硅薄膜微觀結(jié)構(gòu)調(diào)整及其光吸收特性

編號(hào)：CPJS05245

篇名：鑲嵌納米晶硅的氧化硅薄膜微觀結(jié)構(gòu)調(diào)整及其光吸收特性

作者：梅艷[1] ;賈曦[1] ;安彩虹[1] ;完繼光[1] ;徐艷梅[2]

關(guān)鍵詞：紅外光譜 納米晶硅 氧化硅 鍵合結(jié)構(gòu)

機(jī)構(gòu)： [1]樂山職業(yè)技術(shù)學(xué)院,四川樂山614000; [2]華北電力大學(xué)數(shù)理系,河北保定071002

摘要： 采用等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)在不同N_2O流量條件下制備了鑲嵌有納米晶硅（nc-Si）的富硅氧化硅（SiOx）薄膜,利用透射電鏡（TEM）,X射線衍射分析（XRD）,傅里葉變換紅外（FTIR）和透射光譜技術(shù)研究了薄膜中的氫含量和氧含量變化及其對(duì)薄膜晶化度、薄膜鍵合結(jié)構(gòu)和光吸收特性的影響。結(jié)果表明,薄膜由nc-Si粒子和非晶SiOx組成,為混合相結(jié)構(gòu)。nc-Si的生長與氧化反應(yīng)的競爭決定了薄膜微觀結(jié)構(gòu)、鍵合特性以及光吸收特性。隨著N_2O流量的增加,薄膜的晶粒尺寸逐漸減小。晶界區(qū)過渡晶硅的比例減少,晶粒界面隨之消失,帶隙呈持續(xù)增加趨勢。該實(shí)驗(yàn)結(jié)果為ncSi/SiOx薄膜在新型太陽電池中的應(yīng)用提供了基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。