單分散納米二氧化硅的可控制備以及高濃度正硅酸乙酯條件下的反應(yīng)機理

編號：FTJS06688

篇名：單分散納米二氧化硅的可控制備以及高濃度正硅酸乙酯條件下的反應(yīng)機理

作者：趙立強[1,2] ;南泉[2] ;金花子[2]

關(guān)鍵詞：Stober法 納米二氧化硅 單分散 制備機理

機構(gòu)： [1]青島科技大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院,山東青島261500; [2]中國科學(xué)院金屬研究所表面工程研究部,遼寧沈陽110106

摘要： 采用Stober法,在60℃,正硅酸乙酯（TEOS）濃度為1mol·L^-1的條件下制備得到粒徑為55nm的SiO2,多分散指數(shù)（Polydispersity Index,PDI）為0.05,顯示了良好的單分散性,找到了一種在高TEOS濃度、高溫條件下制備單分散納米SiO2的方法,并探討了制備機理。同時還研究了TEOS、水和NH3·H2O濃度以及反應(yīng)溫度對產(chǎn)物顆粒粒徑及其分布的影響。