直流電弧法制備SiC@C核殼型納米粒子及吸波性能研究

編號：NMJS06118

篇名：直流電弧法制備SiC@C核殼型納米粒子及吸波性能研究

作者：卓絕 ;黃昊 ;丁昂

關(guān)鍵詞：直流電弧法 納米SiC@C復(fù)合粒子 偶極子極化 介電性能

機(jī)構(gòu)： 大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院三束材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國兵器科學(xué)研究院寧波分院

摘要： 采用等離子直流電弧法,在氫氣、氬氣、甲烷分壓分別為10、20、7.5 k Pa的混合氣氛下制備納米SiC@C核殼型復(fù)合粒子。利用XRD、Raman對納米粒子的成分進(jìn)行表征,用TEM對其形貌進(jìn)行分析。將納米SiC@C復(fù)合粒子均勻分散在石蠟基體中,在100 MHz~18 GHz頻率內(nèi)測定其復(fù)介電常數(shù)。結(jié)果表明,當(dāng)電磁波吸收材料匹配厚度為8 mm、測試頻率為9.49 GHz時(shí),最大反射損耗能達(dá)到-27 d B。對SiC介電特性分析進(jìn)一步表明,SiC中的C空位(VC)和Si空位(VSi)產(chǎn)生的偶極子發(fā)生的弛豫過程和SiC缺陷帶來的電導(dǎo)率變化是影響介電性能的關(guān)鍵因素。