納米壓印法制作亞波長結構PI減反射膜

編號：NMJS06079

篇名：納米壓印法制作亞波長結構PI減反射膜

作者：田麗[1] ;毛志強[1] ;吳敏[2] ;王蔚[1]

關鍵詞：亞波長結構 減反射膜 納米壓印 聚酰亞胺 陽極氧化

機構： [1]哈爾濱工業(yè)大學航天學院,哈爾濱150001; [2]上�？臻g電源研究所,上海200245

摘要： 為提高柔性基底太陽能電池光電轉化效率,減少表面反射損失,用Tracepro光學仿真軟件模擬設計亞波長結構減反射膜尺寸參數,仿真結果表明亞波長結構薄膜在納米柱高度72 nm,占空比為0.5,光柵周期在300~440 nm處,光通量增強效果最佳.采用納米壓印技術,以多孔結構陽極氧化鋁為模板,制作聚酰亞胺基底減反射膜.采用掃描電子顯微鏡和紫外-可見分光光度計研究了陽極氧化技術所制作的Al2O3模板及其納米壓印技術等工藝參數對PI薄膜透過率的影響.測試結果表明,在0.3 mol/L草酸溶液中,70 V恒壓模式連續(xù)反應1 h條件下制備AAO模板,在280℃,800 kg壓力條件下,熱壓印時間為10 min所得PI膜.在AM1.5大氣質量條件下,UV-VIS透射光譜從440~1 000 nm區(qū)域,所制作的薄膜較原始PI膜的透過率提高2%~5%.