GaSb納米線的CVD可控制備及其光學(xué)表征

編號：NMJS06045

篇名：GaSb納米線的CVD可控制備及其光學(xué)表征

作者：羅曼琳 ;葛峻羽 ;孫文正 ;翟慧芳

關(guān)鍵詞：GaSb納米線 可控制備 CVD法 VLS生長機(jī)制 光學(xué)性質(zhì)

機(jī)構(gòu)： 湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院,長沙410082

摘要： 采用CVD法合成GaSb納米線，并分析生長時(shí)間對其長度的影響，隨后對其進(jìn)行光學(xué)表征．實(shí)驗(yàn)過程中，分別采用噴金法和滴金法對硅片進(jìn)行預(yù)處理，再置于相同條件下制備GaSb納米線；之后對其進(jìn)行表征分析，根據(jù)掃描電子顯微鏡（SEM）表征結(jié)果證實(shí)，兩種方法制備的納米線都滿足VLS生長機(jī)制．且發(fā)現(xiàn)GaSb納米線的生長長度，可以通過改變其生長時(shí)間來進(jìn)行控制．通過該納米線的透射電子顯微鏡圖（TEM）、X射線衍射圖（XRD）等結(jié)構(gòu)表征，表明該納米線為結(jié)晶品質(zhì)優(yōu)良的立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)；同時(shí)，從GaSb納米線的拉曼光譜（Raman）及光致發(fā)光譜（PL）可以反映該納米線具有優(yōu)良的光學(xué)性質(zhì)．由此證明，采用CVD法制得的納米線光學(xué)性質(zhì)優(yōu)異，且可以實(shí)現(xiàn)可控制備．