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            低比表面積納米二氧化硅的制備研究

            編號:NMJS05879

            篇名:低比表面積納米二氧化硅的制備研究

            作者:沈俊[1] ;趙燕[2]

            關鍵詞:納米二氧化硅 低比表面積 乙硅烷 乙硅氧烷

            機構(gòu): [1]寧夏勝藍化工環(huán)?萍加邢薰,寧夏石嘴山753200; [2]寧波大學建筑工程與環(huán)境學院,浙江寧波315211

            摘要: 以含有Si-O-Si鍵及si—Si鍵的物質(zhì)為原料,采用氣相法制備低比表面積納米二氧化硅?疾觳煌肿咏Y(jié)構(gòu)對最終樣品粒度、比表面積的影響。采用低溫氮吸附、納米粒度測試等手段對樣品進行了表征。結(jié)果表明,si-O-si形式的分子結(jié)構(gòu)更有利于形成低比表面積的納米二氧化硅,分子中取代基團對樣品孔特性及粒度也有明顯影響。

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