電子元件用含He納米晶鈦膜高溫退火后的He相關(guān)缺陷變化

編號：NMJS05878

篇名：電子元件用含He納米晶鈦膜高溫退火后的He相關(guān)缺陷變化

作者：洪超

關(guān)鍵詞：退火處理 缺陷結(jié)構(gòu) 含He納米晶鈦膜

機構(gòu)： 景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院機電學(xué)院

摘要： 退火處理對材料的缺陷結(jié)構(gòu)有一定的影響。本文以鈦圓盤作為陰極靶,Si作為襯底,采用直流磁控濺射制備不同濃度的電子元件用含He納米晶鈦膜,然后對其進行高溫退火處理后進行觀察分析。最后得到結(jié)論,電子元件用含He納米晶鈦膜中生成有擇優(yōu)取向的TiSi2晶體,經(jīng)過退火處理后的試樣鈦膜表面層以及保護層的缺陷結(jié)構(gòu)產(chǎn)生變化。該研究為含He納米晶鈦膜的研究應(yīng)用提供了有用參考。