硅納米線和聚3-十二烷基噻吩混合薄膜在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用研究

編號(hào)：NMJS05863

篇名：硅納米線和聚3-十二烷基噻吩混合薄膜在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用研究

作者：朱昊云 ;黃威 ;黃宇立 ;汪偉志

關(guān)鍵詞：硅納米線 聚3-十二烷基噻吩 共軛聚合物 場效應(yīng)晶體管 離子膠

機(jī)構(gòu)： 聚合物分子工程國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 高分子及其先進(jìn)復(fù)合材料協(xié)同創(chuàng)新中心 復(fù)旦大學(xué)高分子科學(xué)系,上海200433

摘要： 為了提高聚3-十二烷基噻吩的場效應(yīng)遷移率,將硅納米線混入聚3-十二烷基噻吩的溶液中制成薄膜.退火后的聚3-十二烷基噻吩能夠自組裝成有序的微晶結(jié)構(gòu),有利于電子傳輸.聚3-十二烷基噻吩薄膜在場效應(yīng)晶體管中能夠獲得0.015 cm^2·V^-1·s^-1的遷移率,而混合薄膜能夠獲得高達(dá)0.68 cm^2·V^-1·s^-1的遷移率.這是因?yàn)楣杓{米線優(yōu)異的電子傳輸性能使得電子通過硅納米線就像通過快速通道一樣,從而能夠縮短電子在場效應(yīng)晶體管中的傳輸時(shí)間,提高傳輸速度.此外,使用離子膠作為介電層也能夠提升場效應(yīng)晶體管的性能,混合薄膜能夠獲得高達(dá)6.2 cm^2·V^-1·s^-1的遷移率.