CdS/TiO_2納米管陣列的制備及光催化性能

編號：CPJS04768

篇名：CdS/TiO_2納米管陣列的制備及光催化性能

作者：杜晶晶[1] ;趙軍偉[2] ;程曉民[2] ;王可勝[1]

關鍵詞：CdS/TiO2納米管陣列 化學水浴沉積 光催化 氣相苯

機構： [1]寧波工程學院機械工程學院,寧波315016; [2]寧波工程學院材料學院,寧波315016

摘要： 采用陽極氧化法在純鈦箔上制備出TiO2納米管陣列,再通過化學水浴沉積法在TiO2納米管陣列上負載Cd S納米顆粒。利用XRD、FESEM和UV-Vis分光光度計對樣品的晶體結構、微觀形貌和光學性質(zhì)進行表征,并研究了不同含量Cd S負載的復合薄膜對光催化降解氣相苯性能的影響。結果表明,Cd S納米顆粒均勻沉積到TiO2納米管陣列上,所制備的復合薄膜光吸收帶邊均擴展到了可見光區(qū)。Cd S的修飾大幅度提高了TiO2納米管陣列對氣相苯的光催化降解活性,其中負載Cd S質(zhì)量分數(shù)為3%的TiO2納米管陣列光催化活性最佳,80 min內(nèi)對氣相苯的去除率為80%,終產(chǎn)物CO2的濃度為640 mg/m3。