鈦酸鍶鋇納米管陣列薄膜的水熱合成及其性能研究

編號：CPJS04692

篇名：鈦酸鍶鋇納米管陣列薄膜的水熱合成及其性能研究

作者：尹沛羊[1] ;劉鵬偉[1] ;鄧湘云[1,2] ;李建保[1,3] ;楊儀瀟[1] ;石雯怡[1] ;張偉[1]

關(guān)鍵詞：鈦酸鍶鋇 納米管陣列薄膜 水熱法 表面形貌 介電性能

機構(gòu)： [1]海南大學材料與化工學院,海南優(yōu)勢資源化工材料應(yīng)用技術(shù)教育部重點實驗室,硅鋯鈦資源綜合開發(fā)與利用海南省重點實驗室,�？�570228; [2]天津師范大學物理與電子信息學院,天津300387; [3

摘要： 以陽極氧化法制備的二氧化鈦納米管陣列為模板，結(jié)合水熱法制備了鈦酸鍶鋇納米管陣列薄膜。討論了Ba1-xSrTiO3納米管陣列薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌和電學性能。用X射線衍射儀表征其晶體結(jié)構(gòu)；掃描電子顯微鏡觀察其表面及斷口形貌；以及用寬頻介電阻抗譜儀測試其介電性能。結(jié)果表明：在較為溫和的條件下用水熱法制備了立方相及四方相的Ba1-xSrTiO3納米管陣列薄膜；納米管孔徑在65～80nm之間，薄膜厚度可達10μm以上；經(jīng)熱處理之后的薄膜樣品在1kHz介電常數(shù)可達338，介電損耗為0．46。