硅納米線的制備及其光學(xué)性能的研究

編號(hào)：CPJS04667

篇名：硅納米線的制備及其光學(xué)性能的研究

作者：陳亞婷 ;王金良 ;陳澤升 ;秦韶陽 ;薄乾紅

關(guān)鍵詞：硅納米線 金屬催化化學(xué)刻蝕法 光吸收

機(jī)構(gòu)： 北京航空航天大學(xué)物理科學(xué)與核能工程學(xué)院,北京100191

摘要： 通過金屬催化化學(xué)刻蝕的方法中的兩步法制備出了具有陣列結(jié)構(gòu)的硅納米線,研究了不同刻蝕條件對(duì)硅納米線形貌的影響,分析了形成不同形貌的原因。測(cè)定了不同條件下制備的硅納米線的光吸收性能,總結(jié)了影響光吸收性能的因素和原因,根據(jù)硅納米線的光吸收?qǐng)D求出了硅納米線的禁帶寬度,說明了硅納米線已經(jīng)具備不同于硅片的性能。