可控納米Ag修飾ZnO線陣列及其降解羅丹明B研究

編號：CPJS04586

篇名：可控納米Ag修飾ZnO線陣列及其降解羅丹明B研究

作者：吳慧敏 ;許諾 ;羅千里 ;羅艷

關(guān)鍵詞：Zn O納米線陣列 Ag納米粒子 羅丹明B 光催化降解

機(jī)構(gòu)： 江西省持久性污染物控制與資源循環(huán)利用重點實驗室

摘要： 利用水熱法在ITO玻璃上制備了沿(002)晶面生長直徑為120 nm左右的Zn O線陣列,然后通過浸漬-光還原法在Zn O的表面均勻生長50 nm左右銀納米粒子;以乙二醇作溶劑,有效地抑制了Ag的團(tuán)聚與連續(xù)生長;通過調(diào)控硝酸銀的濃度,改變Ag的負(fù)載量而不影響其大小。研究表明:硝酸銀濃度為5 mol/m L時,負(fù)載量為0.8%,在紫外可見光下降解羅丹明B效率最快,比純Zn O提高2倍多。探討了可能的降解機(jī)理,發(fā)現(xiàn)其主要的活性物種為羥基自由基。