超細(xì)Si/SiOx納米線和納米花等離子體輔助生長(zhǎng)及光致發(fā)光

編號(hào)：CPJS04580

篇名：超細(xì)Si/SiOx納米線和納米花等離子體輔助生長(zhǎng)及光致發(fā)光

作者：王秋實(shí) ;馮雅輝 ;謝永輝 ;鐘敏 ;張麗娜

關(guān)鍵詞：Si/SiOx納米線 弧光放電 光致發(fā)光

機(jī)構(gòu)： 渤海大學(xué)新能源學(xué)院,錦州121013

摘要： 采用等離子體輔助直流弧光放電技術(shù),以Si粉和SiO2粉為反應(yīng)原料,制備了不同形貌的超細(xì)Si/SiOx納米線和納米花。通過X射線衍射（XRD）、透射電子顯微鏡（TEM）、能量色散X射線光譜（EDS）對(duì)Si/SiOx納米線的形貌和組分進(jìn)行表征與分析。Si/SiOx納米線紫外可見吸收光譜證實(shí)了樣品的光學(xué)帶隙為4.58 e V。Si/SiOx納米線光致發(fā)光光譜（PL）表明其在305 nm、495 nm處有較強(qiáng)的發(fā)光峰,具有良好的發(fā)光性能。