納米CMOS電路在單粒子效應(yīng)下可靠性分析

編號(hào)：CPJS04546

篇名：納米CMOS電路在單粒子效應(yīng)下可靠性分析

作者：趙智超 ;吳鐵峰

關(guān)鍵詞：納米CMOS電路 單粒子效應(yīng) 可靠性

機(jī)構(gòu)： 佳木斯大學(xué)

摘要： 隨著電子元器件的尺寸在不斷的發(fā)生變化,使得電容和電壓不斷的降低,納米CMOS電路對(duì)單粒子效應(yīng)(SEE)的敏感性更高,并且由于單粒子的串?dāng)_和多結(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)現(xiàn)象明顯增加,使得工作的可靠性受到一定的影響。為了更好的保證納米CMOS電路在SEE下的可靠性,從多方面來(lái)對(duì)其進(jìn)行分析和研究,最后通過(guò)研究發(fā)現(xiàn),影響納米CMOS電路在SEE下的可靠性的焦點(diǎn)可能是:抗單粒子瞬態(tài)的加固研究、CMOS電路的抗輻射加固設(shè)計(jì)研究、仿真及加固研究等。