硅碳直接反應(yīng)法制備超細(xì)β-SiC粉

編號：FTJS06554

篇名：硅碳直接反應(yīng)法制備超細(xì)β-SiC粉

作者：安子博 ;汪晗 ;竺昌海 ;薛俊 ;曹宏

關(guān)鍵詞：碳化硅 超細(xì)粉體 制備

機(jī)構(gòu)： 武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,湖北武漢430074

摘要： 采用碳納米管（CNTs）為碳源,硅粉為硅源,通過煅燒,制備出了納米到亞微米級的超細(xì)碳化硅（SiC）粉體,研究了l 300℃、1 400℃、1 500℃三個(gè)不同的反應(yīng)溫度對于SiC粉體粒度的影響,討論了SiC顆粒形成的反應(yīng)機(jī)理.表征結(jié)果顯示,制備的粉體物相均為β-SiC,隨著反應(yīng)溫度的升高,粉體粒徑增大.Nicomp多波形粒徑分布顯示,在l 300℃條件下制備的超細(xì)SiC粉體中96.4％的顆粒粒徑為95.9 nm.通過分析,推測超細(xì)SiC粉的形成機(jī)理為：反應(yīng)物中存在的雜質(zhì)鎳與硅粉在高溫下形成共熔液滴,碳納米管進(jìn)入液滴反應(yīng)生成SiC晶核,進(jìn)而析出晶體,晶體在高溫條件下不斷長大,形成超細(xì)SiC粉.碳硅直接反應(yīng)法相對簡單、成本低,適合大規(guī)模制備納米及亞微米級碳化硅粉體.