半導體制造業(yè)用微納米碳化硅粉體制備工藝研究

編號：NMJS05678

篇名：半導體制造業(yè)用微納米碳化硅粉體制備工藝研究

作者：鐵健 ;鐵生年

關鍵詞：微納米碳化硅粉體 粒徑分布 水流分級 沖擊磨

機構： 青海大學新能源光伏產(chǎn)業(yè)研究中心,西寧810016

摘要： 采用水流分級和高能納米沖擊磨對原始SiC粉料進行微納米粉體加工。研究結果表明：水流分級得到純度98．42％、中位粒徑0．404μm的SiC粉體，比表面積由0．8879m^2／g提高到8．0321m^2／g；高能沖擊磨得到純度95．5％、中位粒徑0．257μm的SiC粉體，比表面積由0．8879m^2／g提高到8．2773m^2／g，SiC的粒徑及比表面積達到半導體制造業(yè)用微納米碳化硅粉體的技術標準。純度分析表明碳化硅粉體的水流分級未引入雜質，化學成分基本不變；SiC粉體沖擊磨加工純度下降，其他雜質含量偏高。粉體形貌分析表明原始SiC粉料形貌為非球形，粒度分布不均勻，水流分級和沖擊磨加工碳化硅粉體形貌為非球形，粒度分布較加工前更均勻。