Ni摻雜及NiO復合V205納米粉體光催化性能的研究

編號：CPJS04404

篇名：Ni摻雜及NiO復合V205納米粉體光催化性能的研究

作者：丁士華[1,2]

關鍵詞：Sol-gel法 納米粉體 光催化 甲基橙

機構(gòu)： [1]西華大學材料科學與工程學院,四川成都610039; [2]西華大學能源與環(huán)境學院,四川成都610039

摘要： 采用Sol-gel法,以偏釩酸銨、尿素、乙酰丙酮、硝酸鎳、氨水和去離子水等為原料,制備 Ni摻雜的 V2O5納米粉體以及NiO/V2O5復合納米粉體,利用XRD研究2 種制備方法對V2O5結(jié)構(gòu)的影響,并研究不同的制備 方法獲得的納米粉體對光催化降解甲基橙性能的影響.結(jié)果表明：方法1 制備的M 摻雜V2O5納米粉體晶粒尺寸 增大,當摻雜濃度為4% 時,光催化降解率達到51 % ;方法2 制備的NiO/V2O5復合納米粉體時, NiO抑制了 V2O5納 米粉體晶粒尺寸的長大,且未出現(xiàn)NW 及 V2O5以外的其他雜相,當摻雜濃度為4 % 時,光催化效率達到68. 21 %.