高溫碳熱還原氮化工藝對合成AlON粉體的影響

編號：FTJS06477

篇名：高溫碳熱還原氮化工藝對合成AlON粉體的影響

作者：鄧啟煌 ;沈祥風 ;韓斌 ;都時禹 ;丁志輝 ;黃慶

關(guān)鍵詞：AL ON粉體 碳熱還原氮化 合成

機構(gòu)： 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所,浙江寧波315201

摘要： 以α-Al2O3、γ-Al2O3和活性碳為原料,采用高溫碳熱還原氮化在氮氣保護氣氛下常壓合成了Al ON粉體。并探討了氧化鋁晶型、氧化鋁和碳粉的配比、合成溫度、保溫時間等工藝條件對合成Al ON粉體純度的影響,通過對合成粉料的XRD、SEM分析,發(fā)現(xiàn)Al ON的在低于1900℃下燒結(jié)存在氧化鋁和氮化鋁雜質(zhì),并且在1900℃,保溫2 h能夠得到晶形發(fā)育完善、粒度均勻、純度高的Al ON粉體。當碳含量為5.6%時,氮氣流量為4 L/min,制備得到純度達98%以上的Al ON粉體;通過對比γ-Al2O3和α-Al2O3,發(fā)現(xiàn)γ-Al2O3晶型更有利于Al ON粉體的形成。