膨潤(rùn)土負(fù)載納米鐵的改性及對(duì)水中As(Ⅴ)的吸附

編號(hào)：FTJS06092

篇名：膨潤(rùn)土負(fù)載納米鐵的改性及對(duì)水中As(Ⅴ)的吸附

作者：汪茜； 阮霞； 雷育雄； 劉紅； 彭秀達(dá)； 馮帥；

關(guān)鍵詞：表面改性 As(Ⅴ) 膨潤(rùn)土 納米零價(jià)鐵

機(jī)構(gòu)： 湖北省環(huán)境科學(xué)研究院； 武漢科技大學(xué)資源與環(huán)境工程學(xué)院；

摘要： 用十六烷基三甲基溴化銨(CTMAB)對(duì)膨潤(rùn)土負(fù)載納米零價(jià)鐵(Bent-n ZVI)進(jìn)行表面改性,得到表面改性膨潤(rùn)土負(fù)載納米鐵(Bent-n ZVI)/CTMAB。通過(guò)SEM、Zeta電位和中位徑d(50)分析,與膨潤(rùn)土(Bent)、改性膨潤(rùn)土(CTMAB-Bent)、Bent-n ZVI進(jìn)行了對(duì)比,結(jié)果表明:相比Bent-n ZVI,(Bent-n ZVI)/CTMAB中的納米鐵顆粒更為分散且呈鏈狀分布,d(50)僅為5.21μm,并且Zeta電位為+0.65 m V,更易靜電吸引和吸附陰離子As O43-。4種材料的除砷結(jié)果亦表明其中(Bent-n ZVI)/CTMAB去除率最高,達(dá)到了93.9%。光電子能譜(XPS)分析表明(Bent-n ZVI)/CTMAB的除砷產(chǎn)物中只有As(Ⅴ),并不存在其還原態(tài)As(Ⅲ),說(shuō)明(Bent-n ZVI)/CTMAB是通過(guò)吸附作用去除As(Ⅴ)。