近紫外光LED芯片用紅色熒光粉SrIn2O4:Eu3+,Sm3+的制備及性能研究

編號：CPJS04152

篇名：近紫外光LED芯片用紅色熒光粉SrIn2O4:Eu3+,Sm3+的制備及性能研究

作者：龔文麗 ;鐘瑞霞 ;齊建全 ;劉自然 ;張曉燕

關(guān)鍵詞：近紫外激發(fā) 紅色熒光粉 SrIn2O4 Eu3+,Sm3+

機(jī)構(gòu)： 東北大學(xué)秦皇島分校資源與材料學(xué)院;東北大學(xué)秦皇島分校河北省電介質(zhì)與電解質(zhì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;河北科技師范學(xué)院凝聚態(tài)物理研究所

摘要： 利用高溫固相法制備了Eu3+、Sm3+單摻雜及共摻雜的SrIn2O4熒光材料.通過XRD、激發(fā)光譜、發(fā)射光譜等對SrIn2O4∶Eu3+、Sr In2O4∶Sm3+、Sr In2O4∶Eu3+,Sm3+進(jìn)行表征。結(jié)果表明,Sr In2O4∶Eu3+在近紫外光395 nm激發(fā)下能夠有效的產(chǎn)生616 nm的紅光發(fā)射.在Sr In2O4∶Sm3+體系中發(fā)現(xiàn),該系列樣品適合于407 nm的紫光激發(fā),發(fā)射峰位于607 nm.在Sr In2O4∶Eu33+Sm3+體系中,通過光譜分析發(fā)現(xiàn),基質(zhì)中存在Eu3+和Sm3+激活劑之間的相互能量傳遞過程.該能量傳遞過程使Sr In2O4∶Eu3+,Sm3+更適合于390410 nm紫外芯片激發(fā)的LED用紅色熒光粉。