Si4＋摻雜對Gd1.6 WO6：Eu^3＋0.4支熒光粉發(fā)光特性的影響

編號：FTJS06051

篇名：Si4＋摻雜對Gd1.6 WO6：Eu^3＋0.4支熒光粉發(fā)光特性的影響

作者：耿耀輝[1] ;徐生艷[2] ;張穎濤[1] ;袁虎臣[1] ;李嵐[2]

關(guān)鍵詞：GDL 6W06 Eu8^熒光粉 晶體對稱性 發(fā)光強(qiáng)度

機(jī)構(gòu)： [1]天津理工大學(xué)理學(xué)院,天津300384; [2]天津理工大學(xué)材料物理研究所天津300384,天津300384;

摘要： 采用高溫固相法合成了不同Si^4＋摻雜比例的Gd1.6（W1-xSix）O6：Eu^3＋0.4熒光粉，分析了Si^4＋。摻雜對Gd1.6 WO6：Eu^3＋0.4熒光粉晶格結(jié)構(gòu)的影響，研究了不同Si^4＋摻雜比例下的XRD譜、激發(fā)光譜、發(fā)射光譜和衰減曲線。結(jié)果發(fā)現(xiàn)：Si^4＋的摻雜改變了基質(zhì)的結(jié)構(gòu)，使得激活劑離子Eu^3＋周圍的晶體場改變，從而改變了熒光粉的發(fā)光效率，當(dāng)Si^4＋的摻雜濃度達(dá)到0．4mol時(shí)，晶體對稱性最差，粉體發(fā)光強(qiáng)度最大。根據(jù)發(fā)射光譜和衰減曲線計(jì)算了樣品的J-O強(qiáng)度參數(shù)和無輻射躍遷幾率，結(jié)果表明適量的Si^4＋摻雜可以抑制無輻射躍遷，提高發(fā)光強(qiáng)度。計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符