退火溫度對氧化鋁薄膜性質(zhì)的影響

編號：FTJS05995

篇名：退火溫度對氧化鋁薄膜性質(zhì)的影響

作者：譚惠月[1] ;劉國俠[1,2] ;劉奧[1] ;單福凱[1,2]

關(guān)鍵詞：溶膠-凝膠 氧化鋁 薄膜

機構(gòu)： [1]青島大學(xué)物理科學(xué)學(xué)院,青島266071; [2]青島大學(xué)紡織新材料與現(xiàn)代紡織國家重點實驗室培育基地,青島266071

摘要： 隨著集成電路中晶體管特征尺寸的逐漸減小,目前場效應(yīng)晶體管柵介質(zhì)SiO2的厚度已經(jīng)減小到納米量級,隧道效應(yīng)產(chǎn)生的較大漏電流使得SiO2柵介質(zhì)喪失了良好的絕緣效果[1]。由于高介電常數(shù)材料（高k材料）可以在保持電容密度不變的同時增大柵介質(zhì)的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作為柵介質(zhì)層是目前最有希望解決此問題的途徑。為維持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)依照摩爾定律向前發(fā)展,高k柵介質(zhì)層已經(jīng)成為當(dāng)前的研究熱點[4,5]。在眾多的高k材料中,Al2O3因具有良好的綜合性質(zhì)而倍受矚目,