PI/Al_2O_3/SiO_2雜化薄膜的力學及電學性能

編號：FTJS05979

篇名：PI/Al_2O_3/SiO_2雜化薄膜的力學及電學性能

作者：陳高汝[1] ;林家齊[1,2] ;李東平[3] ;馮峰[3] ;楊文龍[1]

關(guān)鍵詞：聚酰亞胺 納米二氧化硅 納米氧化鋁 力學性能 電學性能

機構(gòu)： [1]哈爾濱理工大學應(yīng)用科學學院,黑龍江哈爾濱150080; [2]工程電介質(zhì)及其應(yīng)用教育部重點實驗室,黑龍江哈爾濱150080; [3]哈爾濱理工大學化學與環(huán)境工程學院,黑龍江哈爾濱150040

摘要： 采用原位聚合法制備摻雜無機粒子質(zhì)量分數(shù)從1%~5%的PI/Si O2/Al2O3納米雜化薄膜.通過SEM發(fā)現(xiàn)無機納米Al2O3和納米Si O2顆粒在聚酰亞胺基體中有很好的相容性和分散性,其顆粒尺寸大約在100 nm左右.采用萬能試驗機和寬頻介電譜分析儀研究不同濃度Al2O3和Si O2的摻雜對PI薄膜的力學性能和電學性能的影響.當質(zhì)量分數(shù)為3%的時候,雜化薄膜力學性能最佳,具有最大的拉伸強度（36.143MPa）和斷裂伸長率（10.88%）.并且在100Hz下它相比于其它含量的雜化薄膜,具有最小的介電常數(shù)（6.76）、介電損耗（0.01）和電導(dǎo)率（3.94×10-12S·m-1）.