二氧化硅納米花的制備及發(fā)光特性研究

編號：CPJS03936

篇名：二氧化硅納米花的制備及發(fā)光特性研究

作者：李玉國[1] ;劉永峰[1] ;王玉萍[1] ;王宇[1] ;方香[1]

關(guān)鍵詞：SIO2 納米結(jié)構(gòu) 濺射 光致發(fā)光

機構(gòu)： [1]山東師范大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院半導(dǎo)體研究所,濟南250014

摘要： 采用磁控濺射和化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備出二氧化硅納米花。利用掃描電子顯微鏡（SEM）,X射線光電子能譜（XPS）和傅里葉紅外吸收譜（FTIR）對上述納米結(jié)構(gòu)進行結(jié)構(gòu)表征。用熒光光譜儀（PL）對其光致發(fā)光特性進行了研究。結(jié)果表明在激發(fā)波長為325nm時,在394nm處出現(xiàn)一個發(fā)光峰,表現(xiàn)出良好的發(fā)光特性。