SiO_2基底表面VO_2薄膜的生長模式及相變性能分析

編號(hào)：CPJS03927

篇名：SiO_2基底表面VO_2薄膜的生長模式及相變性能分析

作者：岳芳[1] ;黃婉霞[1] ;施奇武[1] ;鄧賢進(jìn)[2] ;王成[2] ;張敬雨[1] ;李丹霞[1]

關(guān)鍵詞：二氧化釩薄膜 二氧化硅基底 溶膠凝膠 微觀結(jié)構(gòu) 相變性能

機(jī)構(gòu)： [1]四川大學(xué),四川成都610064; [2]中國工程物理研究院,四川綿陽621900

摘要： 采用無機(jī)溶膠-凝膠法在二氧化硅基底上制備不同厚度的二氧化釩薄膜,通過X射線光電子能譜、X射線衍射和場發(fā)射掃描電子顯微鏡分析薄膜的化學(xué)組成和微觀結(jié)構(gòu),并利用變溫傅里葉變換紅外光譜對(duì)薄膜在紅外波段的相變性能進(jìn)行檢測。結(jié)果發(fā)現(xiàn)：薄膜均沿（110）晶面擇優(yōu)生長;隨厚度增加,其結(jié)晶度提高,表面晶粒明顯增大,大小分布越不均勻,并導(dǎo)致薄膜在紅外波段的低溫和高溫透過率均降低,滯后溫寬變窄,相變陡然性增強(qiáng)。