基于不同襯底的二氧化硅可調(diào)復(fù)用器/解復(fù)用器的單片集成芯片研究

編號(hào)：SBJS00466

篇名：基于不同襯底的二氧化硅可調(diào)復(fù)用器/解復(fù)用器的單片集成芯片研究

作者：代紅慶[1] ;安俊明[1] ;王玥[1] ;張家順[1] ;王亮亮[1] ;王紅杰[1] ;李建光[1] ;吳遠(yuǎn)大[1

關(guān)鍵詞：可調(diào)復(fù)用器/解復(fù)用器 石英襯底和硅襯底 陣列波導(dǎo)光柵 熱光可調(diào)光衰減器

機(jī)構(gòu)： [1]中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100083; [2]河南仕佳光子科技有限公司,河南鶴壁458030

摘要： 分別設(shè)計(jì)制備了基于石英襯底和硅襯底的16通道200 GHz二氧化硅可調(diào)復(fù)用器/解復(fù)用器.該器件由一個(gè)16通道200 GHz的陣列波導(dǎo)光柵（AWG）和Mach-Zehnder干涉型熱光可調(diào)光衰減器（VOA）陣列構(gòu)成.在衰減量達(dá)到20 dB的時(shí)候,基于石英襯底的器件的外加偏壓和功耗分別是11.7V和110 mW;而基于硅襯底的器件的外加偏壓和功耗分別是22V和380mW.分析了基于不同襯底的器件性能出現(xiàn)差別的原因,并設(shè)計(jì)了新的結(jié)構(gòu),提高了器件性能.