二氧化硅源對活性氧化鎂水化的抑制機(jī)制

編號：CPJS03767

篇名：二氧化硅源對活性氧化鎂水化的抑制機(jī)制

作者：張雨 ;桑紹柏 ;李亞偉

關(guān)鍵詞：氧化鎂 水化 硅酸鈉

機(jī)構(gòu)： 武漢科技大學(xué)省部共建耐火材料與冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北武漢430081

摘要： 為了探明不同二氧化硅源對抑制MgO水化的機(jī)制，以d50為6．119μm的活性氧化鎂粉為主要原料，d50=0．111μm的納米SiO2粉和硅酸鈉為二氧化硅源，在25℃恒溫條件下制備了水與固體粉質(zhì)量比為8：1的氧化鎂-氧化硅懸浮液，借助pH儀、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀、X射線衍射儀及熱重-差熱儀等設(shè)備并結(jié)合熱力學(xué)分析探討了納米SiO2粉、Na2SiO3對懸浮液中活性氧化鎂水化的抑制作用。結(jié)果表明：隨著納米SiO2粉引入量（W）由20％增加到60％，活性氧化鎂的水化程度降低；添加0．3％～0．6％（W）硅酸鈉可以有效抑制活性氧化鎂的水化，當(dāng)添加量為0．6％（W）時(shí)，活性氧化鎂的水化率最低；添加Na2SiO3能顯著增加懸浮液中SiO2-的質(zhì)量濃度，同時(shí)使該懸浮液的pH升高到11．4～12．0，從而有效抑制氫氧化鎂的生成。