基底處理抑制成核生長大晶疇石墨烯的研究

編號(hào)：NMJS05507

篇名：基底處理抑制成核生長大晶疇石墨烯的研究

作者：白曉航； 郭磊； 王蘭喜； 曹生珠； 陳學(xué)康；

關(guān)鍵詞：化學(xué)氣相沉積； 抑制成核； 毫米石墨烯晶疇；

機(jī)構(gòu)： 蘭州空間技術(shù)物理研究所真空技術(shù)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；

摘要： 電拋光及退火有效降低了銅箔表面的雜質(zhì)及缺陷,將石墨烯成核密度降至約50個(gè)/cm2,制備了毫米尺寸晶疇的石墨烯連續(xù)膜。石墨烯連續(xù)膜中大部分區(qū)域是單層的,但有約20%的雙/多層區(qū)域。電性能的測量結(jié)果表明,通過增大石墨烯晶疇尺寸提高石墨烯連續(xù)膜的電性能是可行的。