激光干涉光刻法制備二氧化硅光子晶體抗反射膜

編號：NMJS05467

篇名：激光干涉光刻法制備二氧化硅光子晶體抗反射膜

作者：陳辰； 鐘金祥； 洪榮墩；

關(guān)鍵詞：非線性光學(xué)； 激光干涉光刻法； 光子晶體； ICP刻蝕；

機構(gòu)： 廈門大學(xué)物理與機電工程學(xué)院物理系；

摘要： 為了研究制備二氧化硅(SiO2)光子晶體抗反射膜,采用激光干涉光刻法與電感耦合等離子刻蝕(ICP)技術(shù)制備進行實驗。激光干涉光刻法可實現(xiàn)靈活、快速制備大面積周期納米結(jié)構(gòu),而ICP刻蝕具有良好的各向異性,掃描電子顯微鏡的圖片(SEM)表明兩種實驗工藝制備的SiO2光子晶體形貌良好。通過自制的測量平臺,實現(xiàn)測量不同入射角度的入射光對光子晶體的透過率,測量結(jié)果說明了光子晶體對1170nm的入射光有較好的增透效果。有效折射率可以解釋光子晶體在響應(yīng)波長處增透減反的成因。SiO2光子晶體的成功制備在工藝與理論上為以后應(yīng)用于光電器件的抗反射膜提供了參考。