高能微波輻照條件下SiC晶粒的生長過程分析

編號：FTJS05689

篇名：高能微波輻照條件下SiC晶粒的生長過程分析

作者：黃珊； 王繼剛； 劉松； 李凡；

關(guān)鍵詞：微波； 微米晶粒； 碳化硅； 生長機理；

機構(gòu)： 江蘇省先進(jìn)金屬材料重點實驗室東南大學(xué),材料科學(xué)與工程學(xué)院； 東南大學(xué)張家港工業(yè)技術(shù)研究院；

摘要： 利用高能真空微波輻照,僅以SiO2和人造石墨粉為原料,便捷快速地合成得到結(jié)晶良好的β-SiC晶粒。在利用各種表征手段綜合分析SiC晶粒微觀結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,確認(rèn)高能微波輻照條件下,β-SiC晶粒的生長過程符合"光滑界面的二維形核生長"機制。借助于電子背散射衍射技術(shù)(EBSD)進(jìn)行的原位解析發(fā)現(xiàn),生長最快的{211}面在晶粒長大過程中逐漸被超覆,通過形成{421}過渡晶面而最終演變?yōu)閧220}晶面,并成為晶粒的側(cè)面;而生長最慢的{111}面則成為最后保留下來的六角形規(guī)則晶面。EBSD的解析結(jié)果為SiC晶粒生長過程中晶面演變提供了直接的實驗證據(jù)。