石墨烯晶體管的加工及測試研究

編號：NMJS05457

篇名：石墨烯晶體管的加工及測試研究

作者：王永存； 薛晨陽； 劉耀英； 田學(xué)東； 張文棟； 李鐵；

關(guān)鍵詞：石墨烯； 晶體管； 氧等離子體刻蝕； 狄拉克點； 開關(guān)比； 柵調(diào)制；

機構(gòu)： 中北大學(xué),儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點實驗室,電子測試技術(shù)重點實驗室； 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所；

摘要： 石墨烯晶體管因其超高響應(yīng)頻率和超小的體積成為新一代半導(dǎo)體基礎(chǔ)器件的發(fā)展趨勢。針對不同結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管在電學(xué)特性上存在差異,通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)在銅箔上生長石墨烯薄膜,轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜到Si/SiO2基底上,經(jīng)過光刻、等離子體刻蝕、電子束蒸發(fā)和ALD等工藝制備出頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管和背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管,通過測試兩種結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管,比較了頂柵結(jié)構(gòu)的晶體管和背柵結(jié)構(gòu)的晶體管的柵調(diào)制效果和開關(guān)比。分析得到,頂柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管的柵調(diào)制效果和開關(guān)比好于背柵結(jié)構(gòu)的石墨烯晶體管。