SiC固定模擬放射性石墨的研究

編號：FTJS05676

篇名：SiC固定模擬放射性石墨的研究

作者：趙嶺嶺； 滕元成； 劉兵； 任雪潭； 易勇； 王山林；

關(guān)鍵詞：SiC； 硅； 石墨； 合成；

機構(gòu)： 西南科技大學(xué)四川省非金屬復(fù)合與功能材料重點實驗室-省部共建國家重點實驗室培育基地；

摘要： 用12C模擬放射性同位素14C,利用物理化學(xué)性能優(yōu)異的SiC固定石墨。以硅粉和石墨粉為原料,采用固相反應(yīng)法合成SiC,借助X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、能譜(EDS)等分析手段,研究溫度、球磨時間、保溫時間等因素對SiC合成的影響。結(jié)果表明,硅和石墨直接合成SiC的反應(yīng)為擴散控制的固相反應(yīng),開始反應(yīng)溫度在1230℃以下,較佳合成溫度為1330℃;在1300℃合成SiC,球磨對SiC的合成有一定的促進(jìn)作用;在1270℃以下合成SiC,無氣氛保護(hù)球磨不利于SiC的合成,煅燒溫度越低,負(fù)面影響越大;合成SiC的較佳保溫時間為1 h。