銀/二氧化硅核殼納米顆粒的制備及其殼層厚度對(duì)其光學(xué)性質(zhì)的影響

編號(hào)：CPJS03631

篇名：銀/二氧化硅核殼納米顆粒的制備及其殼層厚度對(duì)其光學(xué)性質(zhì)的影響

作者：鄭義智； 王海水；

關(guān)鍵詞：銀納米； 二氧化硅； 核殼結(jié)構(gòu)； 等離子體吸收峰； 折射率靈敏度；

機(jī)構(gòu)： 華南理工大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院；

摘要： 通過(guò)溶膠-凝膠法,制備了銀/二氧化硅核殼材料(Ag@SiO2),對(duì)SiO2殼層厚度進(jìn)行了有效調(diào)控,并系統(tǒng)研究了殼層厚度對(duì)銀的等離子體共振峰(LSPR)以及對(duì)折射率靈敏度(RIS)的影響。研究結(jié)果表明,隨SiO2殼層包覆厚度的增加,銀納米顆粒的LSPR吸收峰呈現(xiàn)先紅移后藍(lán)移的規(guī)律。對(duì)于粒徑為50 nm的銀納米顆粒,當(dāng)SiO2殼層達(dá)到65 nm時(shí),LSPR最大吸收波長(zhǎng)為465 nm。進(jìn)一步增加SiO2殼層厚度,LSPR發(fā)生藍(lán)移并且強(qiáng)度變?nèi)?當(dāng)SiO2殼層達(dá)到120 nm時(shí),LSPR吸收峰已無(wú)法清晰辨認(rèn)。研究了Ag@SiO2材料的RIS效應(yīng),發(fā)現(xiàn)隨著SiO2厚度的增大RIS效應(yīng)逐漸變小。