單雙層石墨烯的制備及電導(dǎo)特性調(diào)控

編號：NMJS05424

篇名：單雙層石墨烯的制備及電導(dǎo)特性調(diào)控

作者：吳雅蘋； 康俊勇；

關(guān)鍵詞：石墨烯； 化學(xué)氣相沉積； 電子結(jié)構(gòu)； 第一性原理計算；

機(jī)構(gòu)： 廈門大學(xué)物理與機(jī)電工程學(xué)院福建省半導(dǎo)體材料及應(yīng)用重點實驗室；

摘要： 石墨烯二維材料有著優(yōu)異的物理、化學(xué)特性,在多個科學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景.采用化學(xué)氣相沉積方法在Cu-Ni合金表面制備了二維石墨烯薄膜并揭示其生長機(jī)制;研究生長時間、溫度等對石墨烯覆蓋度和晶格質(zhì)量的影響.通過優(yōu)化生長條件,成功制備了大面積單層及具有強(qiáng)烈層間耦合作用的AB堆疊雙層石墨烯薄膜.進(jìn)一步運(yùn)用表面沉積技術(shù)在單層石墨烯上構(gòu)建零維Au團(tuán)簇和二維Au薄膜,研究其對石墨烯電導(dǎo)特性的影響;并結(jié)合第一性原理計算,揭示Au的形態(tài)及覆蓋度影響石墨烯電導(dǎo)特性的規(guī)律.據(jù)此制作了石墨烯場效應(yīng)晶體管器件,通過精確控制Au的覆蓋度,實現(xiàn)石墨烯電導(dǎo)類型和載流子濃度的有效調(diào)控,拓展了其在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用.