氧等離子體刻蝕對石墨烯性能的影響

編號(hào)：NMJS05414

篇名：氧等離子體刻蝕對石墨烯性能的影響

作者：魏芹芹； 何建廷；

關(guān)鍵詞：石墨烯； 氧等離子體轟擊； 缺陷； 電學(xué)特性； 拉曼光譜；

機(jī)構(gòu)： 山東理工大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院；

摘要： 對機(jī)械剝離在SiO2表面的多層石墨烯進(jìn)行氧等離子體刻蝕,通過拉曼光譜、原子力顯微鏡和電學(xué)性能表征來研究氧等離子體轟擊對石墨烯特性的影響。結(jié)果表明氧等離子體轟擊會(huì)在表層石墨烯中引入大量缺陷,大量缺陷的存在又會(huì)誘導(dǎo)對石墨烯的進(jìn)一步刻蝕,從而實(shí)現(xiàn)逐層刻蝕石墨烯。另外,氧等離子體轟擊的過程在做了金屬電極的石墨烯中引入金屬顆粒等其它物質(zhì),這幾方面的原因最終導(dǎo)致在氧等離子體刻蝕石墨烯的過程中石墨烯的兩端電導(dǎo)呈現(xiàn)近似線性的減小,石墨烯出現(xiàn)n型摻雜效應(yīng)。