石墨烯納米帶p-i-n結(jié)構(gòu)太赫茲探測(cè)器的設(shè)計(jì)

編號(hào)：NMJS05403

篇名：石墨烯納米帶p-i-n結(jié)構(gòu)太赫茲探測(cè)器的設(shè)計(jì)

作者：王祖英； 溫中泉； 袁偉青； 高楊；

關(guān)鍵詞：石墨烯； 納米帶； 太赫茲； 探測(cè)器；

機(jī)構(gòu)： 重慶大學(xué)新型微納器件與系統(tǒng)技術(shù)國防重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室； 中國工程物理研究院電子工程研究所；

摘要： 研究了石墨烯納米帶橫向p-i-n結(jié)構(gòu)探測(cè)器對(duì)太赫茲波的響應(yīng)特性,基于載流子輸運(yùn)方程和泊松方程,建立了考慮遷移、擴(kuò)散、生成、復(fù)合等載流子運(yùn)動(dòng)的太赫茲探測(cè)器數(shù)學(xué)模型。根據(jù)該模型,對(duì)石墨烯納米帶橫向p-i-n結(jié)構(gòu)的太赫茲波響應(yīng)進(jìn)行了仿真,獲得了反向柵壓誘導(dǎo)生成的p-i-n二極管的能帶圖;進(jìn)而探討了納米帶寬度、i區(qū)長度及偏置電壓對(duì)響應(yīng)電流的影響,分析表明石墨烯納米帶帶隙隨寬度增大而減小,響應(yīng)頻率減小;i區(qū)長度與載流子壽命匹配時(shí)響應(yīng)電流達(dá)到峰值;光電流隨偏置電壓的增大而增大,并趨于飽和。