先驅(qū)體轉(zhuǎn)化致密碳化硅納米復(fù)合材料的制備及其熱電性能

編號(hào)：NMJS05365

篇名：先驅(qū)體轉(zhuǎn)化致密碳化硅納米復(fù)合材料的制備及其熱電性能

作者：韓笑祎； 邢欣； 王軍； 程海峰；

關(guān)鍵詞：碳化硅； 熱電性能； 先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法； 納米復(fù)合材料；

機(jī)構(gòu)： 國(guó)防科技大學(xué)新型陶瓷纖維及其復(fù)合材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 南京軍區(qū)工程設(shè)計(jì)院；

摘要： 以聚碳硅烷和銻改性聚硅烷為先驅(qū)體,利用先驅(qū)體轉(zhuǎn)化Si C材料的富余自由碳高溫石墨化的微觀(guān)結(jié)構(gòu)演變特點(diǎn),采用熱壓燒結(jié)、先驅(qū)體浸漬-裂解法以及退火工藝制備出先驅(qū)體轉(zhuǎn)化Si C納米復(fù)合材料。采用SEM、TEM、XRD和Raman等測(cè)試手段表征和分析了相組成和微觀(guān)結(jié)構(gòu),討論了樣品的熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)等熱電參數(shù)隨溫度變化關(guān)系。研究表明,所得致密Si C納米復(fù)合材料為n型熱電材料。由于納米石墨的作用,材料熱導(dǎo)率抑制在4~8W/(m·K)范圍。1600℃退火處理能夠降低熱導(dǎo)率,同時(shí)提高電導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)絕對(duì)值,使先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法得到的Si C納米復(fù)合材料無(wú)量綱熱電優(yōu)值ZT達(dá)到0.0028(650℃),高于其他已報(bào)道的致密Si C/C復(fù)合材料和納米復(fù)合材料體系。