PI/石墨微片半導(dǎo)電復(fù)合薄膜的制備與表征

編號(hào)：CPJS03551

篇名：PI/石墨微片半導(dǎo)電復(fù)合薄膜的制備與表征

作者：吳雪松； 劉立柱； 張海軍； 翁凌； 王誠(chéng)；

關(guān)鍵詞：聚酰亞胺； 石墨微片； 復(fù)合薄膜； 體積電阻率； 表面電阻率；

機(jī)構(gòu)： 哈爾濱理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 哈爾濱理工大學(xué)工程電介質(zhì)及其應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；

摘要： 通過(guò)乙醇超聲處理膨脹石墨的方法制備石墨微片,并用原位聚合法制備聚酰亞胺/石墨微片復(fù)合薄膜;探討了復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)、微觀形態(tài);討論了石墨微片的含量對(duì)復(fù)合薄膜的體積電阻率、表面電阻率、力學(xué)性能以及熱穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明,石墨微片能夠在聚酰亞胺基體中均勻分布,并對(duì)復(fù)合薄膜亞胺化過(guò)程沒(méi)有影響,復(fù)合薄膜亞胺化完全。復(fù)合薄膜較純膜力學(xué)性能有所下降,熱穩(wěn)定性提高,在石墨微片質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4%時(shí),達(dá)到滲濾閾值,體積電阻率和表面電阻率均可下降到108數(shù)量級(jí),達(dá)到半導(dǎo)電復(fù)合薄膜的要求。