轉(zhuǎn)移過程對CVD生長的石墨烯質(zhì)量的影響

編號：NMJS05343

篇名：轉(zhuǎn)移過程對CVD生長的石墨烯質(zhì)量的影響

作者：梁學(xué)磊； 李偉； CHENG GuangJun； CALIZO Irene； HACKER Christina A； H

關(guān)鍵詞：石墨烯； 轉(zhuǎn)移； 污染； 拉曼光譜； XPS；

機(jī)構(gòu)： 北京大學(xué)電子學(xué)系,納米器件物理與化學(xué)教育部重點(diǎn)實驗室； Nanoelectronics Group,Semiconductor and Dimensional Metrology Division,N

摘要： 利用化學(xué)氣象沉淀法(CVD)在金屬襯底上生長的石墨烯制備電子器件需要先把石墨烯轉(zhuǎn)移到絕緣基底上,轉(zhuǎn)移過程對器件制備的成功率和性能的均勻性有重要影響.轉(zhuǎn)移過程中導(dǎo)致的石墨烯破損和金屬生長基底殘余顆粒污染受到普遍重視,然而由金屬基底腐蝕液導(dǎo)致的石墨烯表面污染還沒有引起足夠的重視.本文利用拉曼光譜和X射線光電子能譜(XPS)證明了轉(zhuǎn)移過程中金屬基底腐蝕液會在石墨烯表面引入污染,利用我們發(fā)展的"改良的RCA(radio corporation of America)清洗(modified RCA clean)"轉(zhuǎn)移工藝能夠有效地去除這種污染.這對提高后續(xù)制備的電子器件的性能有重要意義.