摻釹氟化釔鋰多晶料的合成與晶體生長

編號：CPJS03466

篇名：摻釹氟化釔鋰多晶料的合成與晶體生長

作者：鄭東陽； 方旭光； 崔亞軍； 李春； 曾繁明； 林海； 劉景和；

關(guān)鍵詞：摻釹氟化釔鋰； 多晶料； 干法； 晶體生長；

機(jī)構(gòu)： 長春理工大學(xué)光電功能材料教育部工程研究中心； 北京雷生強(qiáng)式科技有限責(zé)任公司；

摘要： 采用干法(稀土氧化物與無水HF氣體高溫反應(yīng))合成Nd∶LiYF4(Nd∶YLF)多晶料。通過X射線衍射儀對多晶料的物相結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,確定了多晶料合成最佳工藝參數(shù)。發(fā)現(xiàn)稀土氟化物原料中氧化物雜質(zhì)的存在對生長晶體有很大影響,直接采用未經(jīng)處理的氟化物原料生長晶體,會在晶體表面出現(xiàn)白色包裹物。因此,在HF氣氛下,經(jīng)1 200℃熱處理才能去除殘留在氟化物原料中的氧化物雜質(zhì),保證生長晶體的質(zhì)量。實(shí)驗(yàn)確定了生長YLF晶體的最佳組分配比是LiF與YF3的摩爾比為53∶47。以最佳組分配比,采用提拉法生長了Nd∶YLF晶體。結(jié)果表明:以最佳組分配比生長的Nd∶YLF晶體具有高的純度和光學(xué)性能;在808nm二極管激光器泵浦下,位于1 047和1 053nm處的發(fā)射峰(4 F3/2→4 I11/2)均有較強(qiáng)的熒光發(fā)射。