稀土La摻雜CrSi_2電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究

編號(hào)：FTJS05538

篇名：稀土La摻雜CrSi_2電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究

作者：張忠政； 張春紅； 閆萬珺； 周士蕓； 郭本華；

關(guān)鍵詞：CrSi2； 第一性原理； 摻雜； 電子結(jié)構(gòu)； 光學(xué)性質(zhì)；

機(jī)構(gòu)： 安順學(xué)院電子與信息工程學(xué)院航空電子電氣與信息網(wǎng)絡(luò)工程中心；

摘要： 基于密度泛函理論的第一性原理贗勢(shì)平面波方法,對(duì)稀土La摻雜CrSi2的幾何結(jié)構(gòu),電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了計(jì)算與分析.結(jié)果表明,La摻雜后,CrSi2的晶格常數(shù)a,b和c均增大,晶格體積增大.La摻雜導(dǎo)致費(fèi)米面進(jìn)入價(jià)帶,帶隙明顯變窄僅為0.07eV;在費(fèi)米面附近,La原子的5d層電子態(tài)密度只占總態(tài)密度很小的一部分,而總態(tài)密度仍然由Si的3p層和Cr的3d層電子的分波態(tài)密度決定;La摻雜后CrSi2的靜態(tài)介電常數(shù)ε1(0)由28.98增大為91.69,ε2(ω)的兩個(gè)介電峰均向低能方向偏移且增強(qiáng),光學(xué)吸收邊向低能方向移動(dòng),吸收峰減小.計(jì)算結(jié)果為CrSi2材料摻雜改性的實(shí)驗(yàn)研究提供了理論依據(jù).