光輻射懸浮區(qū)熔法Tb_2PdSi_3單晶生長(zhǎng)及磁性能

編號(hào)：FTJS05371

篇名：光輻射懸浮區(qū)熔法Tb_2PdSi_3單晶生長(zhǎng)及磁性能

作者：徐義庫； 劉林； 張軍； L·SER Wolfgang； FRONTZEK Matthias；

關(guān)鍵詞：懸浮區(qū)熔； 單晶生長(zhǎng)； 稀土化合物； 磁性能；

機(jī)構(gòu)： 長(zhǎng)安大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 萊布尼茲固態(tài)及材料科學(xué)研究所； 德累斯頓工業(yè)大學(xué)固態(tài)物理所；

摘要： 采用光輻射加熱懸浮區(qū)熔法以3 mm/h的生長(zhǎng)速度成功制備了Tb2PdSi3單晶。通過分析得知,該化合物為同成分熔融化合物,熔點(diǎn)約為1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R為稀土元素)不同,在單晶基體中沒有發(fā)現(xiàn)TbSi沉淀,分析原因可能是因?yàn)榫�體中Tb含量略高于化學(xué)計(jì)量比。采用X射線Laue背散射實(shí)驗(yàn)對(duì)晶體的晶格結(jié)構(gòu)和高完整性進(jìn)行了驗(yàn)證,并對(duì)定向單晶的a和c方向磁化率-溫度曲線進(jìn)行了測(cè)定。