不同殼層厚度的LaF_3∶Eu3+/LaF_3核殼結(jié)構(gòu)納米顆粒制備及發(fā)光性質(zhì)

編號：NMJS05314

篇名：不同殼層厚度的LaF_3∶Eu3+/LaF_3核殼結(jié)構(gòu)納米顆粒制備及發(fā)光性質(zhì)

作者：牛雙雙； 由芳田； 時秋峰； 謝蒂旎； 彭洪尚； 黃世華；

關鍵詞：LaF3∶Eu3+； 核殼結(jié)構(gòu)； 同質(zhì)包覆； 納米顆粒；

機構(gòu)： 發(fā)光與光信息教育部重點實驗室北京交通大學光電子技術研究所；

摘要： 表面缺陷會使納米材料的發(fā)光中心產(chǎn)生嚴重的猝滅,而適當厚度的同質(zhì)包覆層會減少其猝滅。本文利用共沉淀法合成了LaF3∶Eu3+納米顆粒和LaF3∶Eu3+/LaF3核殼結(jié)構(gòu)納米顆粒,研究了顆粒的晶體結(jié)構(gòu)、形貌以及不同殼層厚度對發(fā)光性能的影響。研究發(fā)現(xiàn):LaF3∶Eu3+核心和LaF3∶Eu3+/LaF3核殼結(jié)構(gòu)均為六方結(jié)構(gòu)。包覆同質(zhì)殼層可以提高稀土離子的發(fā)光性能,包覆厚度的不同導致LaF3∶Eu3+/LaF3核殼結(jié)構(gòu)的熒光強度與衰減時間均發(fā)生改變。其原因是未摻雜的LaF3殼層可以將發(fā)光中心Eu3+離子與LaF3∶Eu3+核心的表面隔離,進而減少表面對發(fā)光中心的猝滅,提高材料的發(fā)光性能。這種修飾作用與殼層厚度相關。