釔對銅硅合金氧化行為的影響

編號：CPJS03075

篇名：釔對銅硅合金氧化行為的影響

作者：蘇勇； 孟德松； 劉群； 付廣艷； 吳敬東； 熊岐；

關鍵詞：高溫氧化； 稀土； 晶粒細化； 釔； Cu-Si-Y合金；

機構(gòu)： 沈陽化工大學能源與動力工程學院； 沈陽化工大學機械工程學院；

摘要： 通過光學顯微鏡、掃描電鏡和熱重分析等研究了Y對Cu-Si合金微觀組織及氧化行為的影響。結(jié)果表明,隨著合金中Y含量的增加,Cu-3Si-0.5Y和Cu-3Si-1.0Y合金的晶粒尺寸分別較Cu-3Si-0Y合金降低了60%和80%。三種合金在800℃、0.1 MPa純氧氣中氧化24小時后,Cu-3Si-1.0Y合金具有最大的氧化增重,而Cu-3Si-0.5Y合金具有最小的氧化增重。晶粒細化促進了合金內(nèi)部組元在合金基體和氧化物中的擴散速率,增加了"短路擴散"比率,促進了SiO2和Y2O3的生成。三種成分的合金在實驗條件下均未形成連續(xù)的SiO2或Y2O3氧化膜,但含Y合金中兩種氧化物的快速生成和彌散分布在一定程度上抑制了合金元素和氧的擴散,有助于提高合金的氧化抗力。Cu-3Si-1.0Y合金表現(xiàn)出最大的氧化增重則歸因于過高的Y含量使Y2O3在合金氧化總增重中所占的比例明顯增加。