(Ce,Yb)共摻雜氧化硅薄膜的發(fā)光特性及結(jié)構(gòu)

編號(hào)：CPJS03051

篇名：(Ce,Yb)共摻雜氧化硅薄膜的發(fā)光特性及結(jié)構(gòu)

作者：李晉桃； 衡成林； 張紅艷； 殷鵬剛；

關(guān)鍵詞：下轉(zhuǎn)換發(fā)光； 稀土摻雜； 氧化硅薄膜； 硅酸鹽；

機(jī)構(gòu)： 北京理工大學(xué)物理學(xué)院； 北京航空航天大學(xué)化學(xué)與環(huán)境學(xué)院；

摘要： 采用磁控濺射技術(shù)在單晶硅襯底上制備了稀土(Ce,Yb)共摻雜氧化硅薄膜,研究了薄膜樣品的結(jié)構(gòu)和下轉(zhuǎn)換發(fā)光性質(zhì)。樣品的發(fā)光光譜顯示,在He-Cd激光器325 nm線的激發(fā)下,Ce3+離子的發(fā)光強(qiáng)度較弱而Yb3+離子的發(fā)光較強(qiáng);Yb3+的發(fā)光隨著退火溫度的升高逐漸增強(qiáng);這些結(jié)果加上樣品的激發(fā)光譜和衰變光譜,都顯示樣品中發(fā)生了Ce3+到Y(jié)b3+的能量傳遞過程。X射線衍射結(jié)果表明,樣品在高溫退火時(shí)(大于1 000℃)出現(xiàn)晶化,形成了Ce和Yb的硅酸鹽結(jié)構(gòu)。筆者認(rèn)為利用高溫退火形成Ce的硅酸鹽結(jié)構(gòu)可以明顯增強(qiáng)Yb3+的發(fā)光,從而提高薄膜的下轉(zhuǎn)換發(fā)光效率。