Ni離子注入SiO_2的表面形貌和光學(xué)吸收性能研究

編號：FTJS05191

篇名：Ni離子注入SiO_2的表面形貌和光學(xué)吸收性能研究

作者：金騰； 寧來元； 申艷艷； 高潔； 于盛旺； 賀志勇；

關(guān)鍵詞：離子注入； Ni納米顆粒； 表面形貌； 等離子體共振吸收；

機構(gòu)： 太原理工大學(xué)表面工程研究所；

摘要： 室溫下,將能量為60 keV,劑量范圍在1×1016~1×1017/cm2的Ni離子注入到SiO2中。隨后將樣品在Ar氣中退火(400~1000℃)。采用原子力顯微鏡(AFM),掠入射X射線衍射(GXRD),紫外-可見分光光度計(UV-Vis)對退火前后樣品的表面形貌,Ni納米顆粒的形成和熱演變過程以及樣品光吸收性能進行分析表征。結(jié)果表明:劑量為1×1016/cm2的樣品退火前后均未能形成納米顆粒;劑量為5×1016/cm2和1×1017/cm2的樣品中形成了納米顆粒,退火后顆粒長大,樣品表面凸起(Ni納米顆粒)高度增加,數(shù)量減少。SiO2中Ni納米顆粒的光吸收帶在310~520 nm,800℃后光吸收帶變得明顯且伴隨峰位藍移。經(jīng)1000℃退火后,Ni納米顆粒被熱分解的O氧化為NiO納米顆粒,NiO納米顆粒的光吸收帶位于300 nm附近。