化學(xué)水浴法制備柔性襯底的ZnO納米棒陣列

編號(hào)：NMJS05275

篇名：化學(xué)水浴法制備柔性襯底的ZnO納米棒陣列

作者：蔣里鋒； 董云飛； 黃培；

關(guān)鍵詞：ZnO納米棒陣列； 化學(xué)水浴法； 聚酰亞胺； 柔性襯底；

機(jī)構(gòu)： 南京工業(yè)大學(xué)材料化學(xué)工程國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；

摘要： 利用化學(xué)水浴法在預(yù)先制備的聚酰亞胺(PI)/ZnO薄膜襯底上生長(zhǎng)ZnO納米棒陣列。通過X線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)ZnO納米棒陣列進(jìn)行表征�？疾煲r底的性質(zhì)、反應(yīng)溶液的濃度、反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間對(duì)ZnO納米棒陣列的影響。結(jié)果表明:c軸取向生長(zhǎng)的ZnO薄膜襯底有助于形成六棱柱形ZnO納米棒晶體。水溶液環(huán)境中生長(zhǎng)的ZnO納米棒晶體長(zhǎng)徑比受到反應(yīng)溶液濃度和溫度的影響。ZnO生長(zhǎng)初期c軸方向生長(zhǎng)速度較快,經(jīng)過一段時(shí)間后納米棒的直徑開始增大,并且能和周圍的納米棒晶體融合生長(zhǎng)形成更大的納米棒晶體。