沉積溫度對Cu_2O薄膜生長過程及光電性能的影響(英文)

編號：FTJS05190

篇名：沉積溫度對Cu_2O薄膜生長過程及光電性能的影響(英文)

作者：董金礦； 徐海燕； 陳琛；

關(guān)鍵詞：Cu2O薄膜； 沉積溫度； 晶粒尺寸； 成核密度； 禁帶寬度；

機構(gòu)： 安徽建筑大學材料與化學工程學院；

摘要： 以硫酸銅為銅源,采用一步化學浴沉積法制備出了晶粒尺寸可調(diào)的納米晶Cu2O薄膜。通過X射線衍射、掃描電鏡和紫外可見分光光度法研究了沉積溫度對薄膜晶體結(jié)構(gòu)、成核密度、晶粒尺寸、薄膜厚度和光電性能的影響。結(jié)果表明,當在60~90℃范圍內(nèi)調(diào)節(jié)溫度時,能夠很好地控制晶粒尺寸、薄膜厚度,并將禁帶寬度控制在33~51 nm、392~556 nm和2.47~2.61 eV范圍內(nèi);隨著晶粒尺寸的減小,紫外可見光譜的吸收邊有明顯的藍移。此外還對薄膜的生長過程,成核密度和顆粒尺寸變化的機理進行了討論。